51单片机的存储器的发展趋势及内部结构介绍-单片机

8031指令系统的单片机的统称,是基础入门的一类单片机,也是应用最广泛的一种。51单片机的存储器地址空间采用的是普林斯顿结构,具体内部结构如下:内部其他部分在这里不再进行赘述,关于单片机的资料书中有很多相关介绍。三、单片机最小系统单片机最小系统的三要素是:电源、晶振、复位电路。

1、单片机简介

1、微控制器,即微型单片机,是将微控制器主机(CPU、存储器和I/O接口)集成在一小块硅片上的微型计算机,又称微控制器(MCU)。 51单片机是所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称。 它是一种基本的入门级微控制器,也是使用最广泛的微控制器。

2、单片机的用途:由于单片机具有三大优点(高集成度、高可靠性、高性价比),单片机主要应用于工业检测与控制、单片机外围设备、智能仪表、通信等领域。设备、家用电器等

3、单片机的发展趋势:

CPU进一步改进:采用双CPU结构,提高处理能力; 增加数据总线宽度; 采用管道式结构。

内存扩展:增加存储容量; 片内EPROM开始FLASH; 程序保密性。

片上I/0改进:增加并口驱动能力; 增加I/0口逻辑控制功能; 强化通讯和网络功能。

外围电路集成度更高,引脚功能更丰富,功耗更低。

4、单片机主要技术指标:

字长:8位机、16位机、32位机。

内存容量:容量单位:1K=2^10=1024,1M=2^20,8K,64K,

16M、64M。

计算速度:时钟频率、主频、

内存访问速度:50ns、70ns、200ns。

5. 微控制器计算基础知识。

常见的计数系统包括二进制 (B)、十进制 (D) 和十六进制 (H)。 不同基数制的对照表如下:

2.单片机内部资源(FLASH、RAM、SFR)

51单片机的存储器地址空间采用普林斯顿结构。 具体内部结构如下:

这里主要介绍51单片机内部的三大资源:Flash、RAM、SFR。

其他内部部件在此不再赘述。 关于单片机的资料书上有很多相关的介绍。

3、单片机最小系统

最小单片机系统的三个要素是:电源、晶振、复位电路。 如下所示:

当单片机具有电源、晶振、复位电路三部分时,就可以运行下载程序。 用户可以根据自己的需要添加一些外部设备,如LED灯、数码管、液晶等。

这里我们还介绍一下单片机的计时单元。 常见的计时单位包括:时钟周期、机器周期、指令周期。

它们有如下关系:(fosc为晶振的振荡频率)

4.硬件基础知识

1、电磁干扰:使用去耦电容实现电磁兼容。

2、去耦电容的应用: 将电流类比为水流,去耦电容具有以下作用: (1) 缓冲作用:在上电瞬间,电流不稳定,容易冲击电子器件。 添加电容有缓冲作用。 (2)稳定作用:不同的电子设备功率大小不同,设备正常工作时的电流并不是静态的。 电容器会在电流波动时释放储存的电量,稳定电压和电流,避免出现较大的波动。

常见的电容有:铝电解电容、钽(棕三调)电容和陶瓷电容,如下图所示。 铝电解电容器体积大、占用空间大、价格相对便宜; 后两者体积更小,性能更好,自然也稍微贵一些。

我们来看看电容的选择,主要根据以下几个参考因素:

3.三级管

三级管按材质可分为硅管和锗管。 硅管的正向压降约为0.7V,锗管的正向压降为0.2V~0.4V。 常用的三级管有两种,PNP型和NPN型,如下图所示:

三级管有截止、放大、饱和三种工作状态。 模拟电路主要涉及的是放大状态。 后两者比较简单,用于数字电路中。 关于三级管的类型和用法,可以记住下面的公式:PNP,箭头向内,导通电压沿箭头通过,电压导通,控制电流。 对于硅管来说,只有当箭头起点比终点高0.7V时,三级管才能导通。 利用三极管开关特性的常见应用有两种:控制应用(不同电压之间的转换)和驱动应用(电流放大)。

注:单片机总工作电流不超过50mA,单个I/O口工作电流不超过6mA。

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