不过我个人认为，只搞电路设计的人不需要关心单片机怎么编程，但是搞单片机编程的人一定要熟悉电路。 您不需要自己设计电路，但必须了解微控制器项目的各个方面。 了解该电路的原理足以保证设计的程序稳定、鲁棒。
例如，如果在微控制器系统中使用EEPROM存储芯片，则EEPROM芯片的SCL和SDA为开漏输出，需要外部上拉电阻。 假设电路板上EEPROM芯片的SCL和SDA拉高。 如果忘记焊接电阻或者电阻坏了，此时将无法调试EEPROM。 如果此时电路设计者不在，而单片机程序员又不熟悉EEPROM的原理，他就会遇到麻烦：因为他不了解电路。 一旦熟悉了，你就会一遍又一遍地寻找程序的原因。 但程序显然没有问题。 该程序在其他项目中一直运行正常。 为什么在这个板上不起作用？
还有一点是，一般对于带有单片机的电路板，电路功能是否正常都需要编写一定的验证程序来测试电路板的性能。 仅电路设计人员无法使用万用表和示波器等工具来验证电路。 好和坏。
综上所述，单片机程序员必须熟悉电路原理，才能设计出正确的程序。
从本文开始，我们将简单研究一下单片机开发中常用的电路。
1、单片机常用电路
1-晶振电路
在早期的单片机（如经典的51单片机）系统中，外部晶振是必须的（当然也可以外接时钟脉冲，但很少使用），因为单片机的运行必须依赖于稳定的时钟脉冲。时钟脉冲。 不过，随着技术的发展，现在很多单片机都集成了内部时钟，所以在一般应用中，不需要外接晶振电路。 但由于内部时钟容易受到外部干扰，因此在严格的要求下仍然需要晶振电路。
图1是典型的单片机外部晶振电路。
图1 单片机晶振电路
该电路不仅有一个晶振，还有两个电容。 这两个电容的作用是什么？
这两个电容器一般称为“匹配电容器”或“负载电容器”或“谐振电容器”。 这两个电容加入到晶振电路中，以满足谐振条件。 一般采用外接电容，使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。 只有连接合适的电容才能满足晶振的启动要求，晶振才能正常工作。
负载电容值按下式计算：
如果负载电容不能满足要求，晶振的频率一般会出现偏差。 严重时晶体将无法振荡。 在电路设计中，应尽可能满足晶振的负载电容要求，使晶振能够最佳地工作。 负载电容计算公式如下：
CL = C1*C2 / (C1+C2) + CS
CL是晶振的负载电容值，一般通过查阅晶振的数据手册得到。 CS为电路板的寄生电容，一般为3~5pF，且C1=C2，则公式可简化如下：
CL=C1/2+CS
一般来说，增大负载电容值会导致振荡频率降低，减小负载电容值会导致振荡频率升高。
晶振电路2
我们有时会看到如图2所示的晶振电路。
图2 不带并联电阻的晶体振荡器电路
在该电路中，另一个电阻连接到晶体振荡器。 为什么是这样？
这个电阻实际上是一个反馈电阻，用来方便晶振的启动。 对于COMS来说，这个电阻的阻值可以在1M以上。 对于TTL来说，视情况而定。 最好的办法就是看芯片的数据手册，确认芯片晶振电路内部是否有电阻。 如果没有，最好在电路设计时加上。
晶振电路3
图3是有源晶振电路。
图3 有源晶振电路
有源晶振的常见用法：1脚悬空，2脚接地，3脚接输出，4脚接电压。 有源晶振不需要CPU内部振荡器，连接方法也比较简单（主要目的是对电源进行滤波，通常采用电容和电感组成的PI滤波网络，在输出端加一个小阻值电阻）端过滤信号），不需要复杂的配置电路。 与无源晶振相比，有源晶振的缺点是其信号电平是固定的，需要选择合适的输出电平。 它们灵活性较差，而且成本较高。
