2. RAM有两大类。 一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM）。 SRAM的速度非常快，是目前读写速度最快的存储设备。 它不需要刷新，但也非常昂贵，所以只用在要求非常苛刻的地方，比如CPU的一级缓冲区和二级缓冲区。 另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）。 DRAM 保留数据的时间很短，速度比 SRAM 慢。 不过，它仍然比任何 ROM 都快，但就价格而言，DRAM 比 SRAM 便宜。 很多计算机内存都是 DRAM。 DRAM 有多种类型。 这里我们来谈谈DDR RAM。
DDR RAM（日期速率RAM）也称为DDR SDRAM。 这种改进的RAM与SDRAM基本相同。 不同的是，它可以在一个时钟内读写数据两次，从而使数据传输速度提高一倍。 。 这是当今计算机中最常用的存储器，并且具有成本优势。 DDR2 是
DRAM 的工作原理： 内存用于存储当前正在使用（即正在执行）的数据和程序。 我们通常所说的计算机内存是指动态内存（即DRAM）。 动态存储器中所谓的“动态”，是指我们向DRAM写入数据后，一段时间后数据就会丢失，因此需要额外的电路进行存储器刷新操作。
具体工作过程如下：DRAM存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷。 有电荷代表1，没有电荷代表0。但是随着时间的推移，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因； 刷新操作定期检查电容器。 如果功率大于满功率的1/2，则认为代表1，对电容充满电； 如果功率小于1/2，则认为代表0，对电容进行放电，以保持数据的连续性。
DRAM包括SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步动态随机存取存储器（SDRAM需要时钟同步）和DDR SDRAM
3. ROM的种类很多。 PROM是可编程ROM。 PROM与EPROM（可擦可编程ROM）的区别在于PROM是一次性使用的，即插入软件后就不能修改。 这是早期产品，现在已经不能使用了。 EPROM通过紫外线的照射擦除原来的程序，是一种通用存储器。 另一种EEPROM是电子擦除的，价格昂贵，写入时间长，写入速度很慢。手机软件一般都放在EEPROM中
4、FLASH存储器又称闪存。 它结合了ROM和RAM的优点。 它不仅具有电可擦除可编程(EEPROM)的性能，而且不会因断电而丢失数据，并且可以快速读取数据(NVRAM的优点)。 这是 USB 闪存驱动器和 MP3 中使用的存储器。 在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为其存储设备。 然而，近年来，Flash已经完全取代了嵌入式系统中ROM（EPROM）的地位，用于存储引导加载程序和操作系统或程序。 代码或者直接当硬盘（U盘）使用。
5、目前Flash主要有两种：NOR Flash和NAND Flash。
6、读取NOR Flash和读取我们常见的SDRAM是一样的。 用户可以直接运行NOR FLASH中加载的代码，这样可以减少SRAM的容量，节省成本。
NAND Flash并没有采用内存的随机读取技术。 它的读取是以一次读取一个块的形式进行的，通常一次读取512字节。 使用这种技术的闪存相对便宜。 用户无法直接在NAND Flash上运行代码，
一般情况下，NOR Flash多用于小容量，因为其读取速度快，多用于存储操作系统等重要信息。 NAND FLASH用于大容量。 最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统中使用的DOC（Disk On Chip）。 而我们平时使用的“闪存盘”是可以在线擦除的。
闪存是非易失性存储器，可以在称为块的存储单元块中进行擦除和重新编程。 对任何闪存器件的写操作只能在空的或已擦除的单元内执行，因此在大多数情况下，必须在执行写操作之前执行擦除。 NAND器件执行擦除操作非常简单，而NOR则要求在擦除之前将目标块中的所有位都写入1。
由于擦除 NOR 器件以 64 至 128KB 的块执行，因此执行写入/擦除操作的时间为 5 秒。 相反，擦除NAND器件以8至32KB的块进行，并且执行相同的过程。 整个操作最多只需要4ms。
NOR的读取速度比NAND稍快。
7. 比较 NAND 和 NOR 性能
●NOR可以执行片内程序
● NOR 的读取速度比NAND 稍快。
● NAND 的写入速度比NOR 快很多。
● NAND 的4ms 擦除速度比NOR 的5s 快得多。
● 大多数写入操作都需要先执行擦除操作。 NOR 要求在擦除之前将目标块中的所有位写入 1。
● NAND 的擦除单元较小，相应的擦除电路也较少。
● 接口差异：
NOR flash具有SRAM接口，并且有足够的地址引脚用于寻址，并且可以轻松访问内部的每个字节。
NAND设备使用复杂的I/O端口串行访问数据，并且方法可能因产品或制造商而异。 8个引脚用于传输控制、地址和数据信息。
NAND读写操作使用512字节的块，这有点像硬盘管理操作。 基于 NAND 的内存自然可以取代硬盘或其他块设备。
●NOR闪存占据了闪存市场的大部分容量，容量为1~16MB，而NAND闪存仅用于8~128MB容量的产品。 这也说明NOR主要用于代码存储介质，而NAND适合数据存储。
● NAND闪存每块最大擦写次数为100万次，而NOR闪存每块擦写次数为10万次。 除了 NAND 存储器的 10 比 1 块擦除周期优势之外，典型的 NAND 块大小比 NOR 器件小 8 倍
8.PSRAM，Pseudo static random access memory，指伪静态随机存储器。
内部存储颗粒与SDRAM颗粒类似，但外部接口与SRAM类似。 不需要像SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制。 PSRAM的接口与SRAM相同。
